在半導體制造過程中，清洗工藝是極為關鍵的一步，主要用于去除硅片表面在光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積等環節所殘留的顆粒、有機物、金屬離子以及天然氧化物。為達到高潔凈度標準，清洗工藝需依賴多種原材料的協同作用。這些原材料按照功能和使用方式可分為酸類、堿類、氧化劑、還原劑、有機溶劑、超純水及特種氣體等幾大類。

常見酸類原材料包括硫酸（H?SO?）、氫氟酸（HF）、鹽酸（HCl）和硝酸（HNO?）等。硫酸常與過氧化氫（H?O?）組成混合液，用于去除有機污染物和光刻膠殘留；氫氟酸用于去除硅表面上的天然氧化層，是實現裸硅表面的關鍵原料；鹽酸和硝酸則主要用于去除金屬雜質，通過絡合反應溶解金屬離子。堿類原材料以氫氧化銨（NH?OH）常用，常與過氧化氫和水組成標準清洗液（SC-1），用于去除顆粒和部分金屬雜質。

在氧化劑方面，過氧化氫（H?O?）是使用頻繁的一種，既可與酸或堿形成清洗液，又能分解為水和氧，清潔過程較為環保。還原劑如氫氣（H?）**或某些有機還原成分也用于特定的氣相或濕法還原清洗流程中，幫助去除特定類型的污染。

有機溶劑方面，異丙醇（IPA）、丙酮、甲醇和N-甲基吡咯烷酮（NMP）**等常用于光刻膠殘留物的去除。其中IPA因其揮發性好、殘留低而廣泛應用于干燥過程；NMP因其溶解能力強，多用于清洗頑固殘留。所有清洗步驟中，超純水（UPW）**都是基礎原料之一，作為稀釋液和漂洗液使用，用量大，對其純度要求也高，不含金屬離子、有機物或微粒。

此外，為配合某些干法或氣相清洗工藝，氮氣（N?）、氬氣（Ar）、臭氧（O?）、**氟化氫氣體（HF氣）**等也作為原材料投入使用。其中，臭氧常與水配合生成臭氧水，用于替代傳統強酸清洗流程，具備更強的氧化性和環境友好性。

綜上，半導體清洗工藝中的原材料種類繁多，涉及無機酸堿、有機溶劑、高純氣體及超純水等多個類別。合理組合使用這些原料，是實現高潔凈度、高良率和高可靠性的基礎，直接影響芯片制造的成品率和性能表現。