半導體產品的清洗解決方案:半導體清洗法，讓鯤鵬精密智能科技來給大家說說看吧

　　如果芯片不清洗會造成什么呢

　　集成電路中的元件和連接都非常精細，如果在制造過程中受到灰塵顆粒和金屬的污染，很容易破壞芯片內電路的功能，造成短路或斷路，從而導致集成電路失效，影響幾何特征的形成。

　　因此，除了在生產過程中排除外部污染源外，IC制造的高溫擴散、離子注入等步驟都需要進行濕洗或干洗。干濕清洗是在不損害晶圓表面特性和電學性能的前提下，有效地利用化學溶液或氣體去除晶圓表面的灰塵、金屬離子和有機雜質。

　　污染物和雜質的分類

　　IC工藝需要一些有機和無機物參與完成生產過程，再加上凈化室總有人參與，所以對硅片產生各種環境污染是不可避免的。根據污染物的賦存情況，污染物大致可分為顆粒、有機物、金屬污染物和氧化物。

　　1.顆粒

　　顆粒主要是聚合物、光刻膠和蝕刻雜質。通常顆粒附著在硅表面，并影響下一個幾何特征和電學性能的形成。從粒子與表面之間的粘附力的分析可以看出，雖然粘附力是多種多樣的，但主要是范德華引力。因此，顆粒的去除方法主要是通過物理或化學方法對顆粒進行基切，逐漸減小顆粒與硅表面的接觸面積，然后去除。

　　2.有機物質

　　有機雜質在IC工藝中以多種形式存在，如人體皮膚油、凈化室空氣、機械油、硅酮真空油、光刻膠、清潔溶劑等。每種污染物對IC工藝的影響程度不同，通常會在晶圓表面形成有機膜，阻止清洗液到達表面。因此，有機化合物的去除通常在清洗過程的首步進行。

　　3.金屬污染物

　　在制造IC電路時，每個單獨的器件都使用金屬互連材料連接。首先通過光刻和蝕刻在絕緣層上制作接觸窗口，然后通過蒸發、濺射或化學氣相沉積(CVD)形成金屬互連膜。

　　硅原子在含氧和水的環境中很容易被氧化，形成氧化層，稱為初級氧化層。硅片經SC-1和SC-2溶液清洗后，由于過氧化氫的強氧化力，硅片表面會形成一層化學氧化層。為了保證柵氧化層的質量，晶圓清洗后必須去除表面氧化層。此外，在IC工藝中通過化學氣相沉積(CVD)沉積的氮化硅、二氧化硅等氧化物也應在相應的清洗工藝中進行選擇性去除。