半導體清洗材料可有效去除光刻膠，是半導體制造中光刻后處理的關鍵環節，需根據光刻膠類型與襯底材質選擇適配材料。

濕法清洗材料應用廣泛，包括溶劑型與堿性兩類。溶劑型如DMSO在60-80℃時可去除交聯光刻膠，作為NMP的替代品，能溶解酚醛樹脂類光刻膠與PMMA。堿性材料中，4%KOH溶液幾秒內可去除普通酚醛樹脂光刻膠，25%濃度TMAH則適配硬烘后的穩定光刻膠，但需控制濃度避免腐蝕硅襯底。

SPM混合液（硫酸/過氧化氫）通過強氧化性將光刻膠氧化為小分子物質，配合80-150℃溫度控制，5-15分鐘即可完成去除，常用于有機物污染嚴重的場景。清洗過程可輔以兆聲波輔助，針對高深寬比結構樣品效果，同時避免超聲波對敏感結構的損傷。

實際應用中多采用級聯清洗模式，樣品經三槽不同狀態的清洗液處理，用電阻率>18.2MΩ?cm的超純水漂洗，確保無殘留。清洗后需達到金屬離子濃度<1×101?atoms/cm2的原子級潔凈度，為后續工藝提供合格表面。