半導體清洗材料純度需符合SEMI規范,按7nm、14nm、28nm等制程細分,核心看四項指標。
金屬離子純度:控Na、K、Fe等含量。90nm+制程總含量≤100ppt(單離子≤10ppt);28-45nm總≤50ppt(單≤5ppt);7-14nm總≤10ppt(單≤1ppt,Cu/Ni≤0.1ppt)。用ICP-MS檢測(限0.001ppt),防金屬離子致晶圓缺陷。

顆粒純度:控顆粒數量與尺寸。90nm+制程≥0.5μm顆粒≤10個/mL、≥0.2μm≤100個/mL;28nm≤制程≥0.1μm≤50個/mL、≥0.05μm≤500個/mL;7nm≤制程≥0.02μm≤1000個/mL。用激光顆粒計數器檢測,提前校準設備,防顆粒致光刻偏差。
有機污染物純度:按TOC衡量。90nm+制程≤100ppb;28nm≤制程≤50ppb;7-14nm≤10ppb。用總有機碳分析儀檢測(高溫燃碳測CO?),防有機物影響光刻膠附著力。
電阻率:水基材料關鍵指標。超純水25℃時≥18.2MΩ?cm;稀釋用水≥15MΩ?cm;1%氫氧化銨溶液≥100kΩ?cm(25℃)。用高精度儀檢測(控溫25℃±0.1℃),防離子污染晶圓。
此外,酸性清洗液pH0.5-1.0、堿性8-10,金屬氧化物含量≤10ppt,確保適配不同制程需求。