半導體清洗材料純度需符合SEMI規范，按7nm、14nm、28nm等制程細分，核心看四項指標。

金屬離子純度：控Na、K、Fe等含量。90nm+制程總含量≤100ppt（單離子≤10ppt）；28-45nm總≤50ppt（單≤5ppt）；7-14nm總≤10ppt（單≤1ppt，Cu/Ni≤0.1ppt）。用ICP-MS檢測（限0.001ppt），防金屬離子致晶圓缺陷。

顆粒純度：控顆粒數量與尺寸。90nm+制程≥0.5μm顆粒≤10個/mL、≥0.2μm≤100個/mL；28nm≤制程≥0.1μm≤50個/mL、≥0.05μm≤500個/mL；7nm≤制程≥0.02μm≤1000個/mL。用激光顆粒計數器檢測，提前校準設備，防顆粒致光刻偏差。

有機污染物純度：按TOC衡量。90nm+制程≤100ppb；28nm≤制程≤50ppb；7-14nm≤10ppb。用總有機碳分析儀檢測（高溫燃碳測CO?），防有機物影響光刻膠附著力。

電阻率：水基材料關鍵指標。超純水25℃時≥18.2MΩ?cm；稀釋用水≥15MΩ?cm；1%氫氧化銨溶液≥100kΩ?cm（25℃）。用高精度儀檢測（控溫25℃±0.1℃），防離子污染晶圓。

此外，酸性清洗液pH0.5-1.0、堿性8-10，金屬氧化物含量≤10ppt，確保適配不同制程需求。